三星、SK海力士同步升级中国存储工厂，冲刺高层数NAND

　　10 月 21 日，据财闻海外资讯，三星电子及 SK 海力士正升级其位于中国的工厂，以生产更先进的记忆体晶片，以应对竞争对手带来的竞争，并满足庞大的 AI 需求。

　　目前两间公司在中国安装光刻机等美国制造的设备，均须每年申请美国许可证。三星及 SK 海力士发声明确认，升级工作正在进行中，现时正在与华盛顿密切协商下进行。

　　据悉，三星电子及 SK 海力士正推进其中国厂房生产逾 200 层 NAND 晶片，将中国厂房技术提升至韩国厂房的水平。目前三星位于西安的工厂占公司全球 NAND 产量约 40%，公司目标将目前生产约 200 层 NAND 晶片，升级为生产 286 层 V9 NAND 晶片，目标今年 12 月达到每月5,000 块晶圆的产量，然后于明年 12 月前大幅增至 4 万块。

　　三星表示，其升级符合美国出口法规，强调升级是旨在满足包括美国客户于内的全球客户日益增长的需求，公司并未扩充生产能力或兴建新的制造设施。

　　消息人士称，SK 海力士亦计划将大连的设施转为生产 240 层或以上的 NAND 产品，并可能向美国寻求批准于当地对 300 层以上的晶片进行研发。